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FDZ201N的技术资料
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FDZ201N
概述
MOSFET N-CH 20V 9A BGA
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):18 毫欧 @ 9A,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1127pF @ 10V,功率 - 最大值:2W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:12-WFBGA,供应商器件封装:12-BGA (2x2.5)
引脚图与功能
暂无FDZ201N的引脚图与功能信息
工作原理
暂无FDZ201N的工作原理信息
替代产品
暂无FDZ201N的替代产品信息
PDF资料
暂无FDZ201N的PDF资料信息
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