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FDS6875

概述

MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:PowerTrench®,FET 类型:2 个 P 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:6A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2250pF @ 10V,功率 - 最大值:900mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SOIC N

引脚图与功能

暂无FDS6875的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FDS6875的工作原理信息

替代产品

暂无FDS6875的替代产品信息

PDF资料

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