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FDS2582

概述

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):150V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:4.1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:66 毫欧 @ 4.1A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1290pF @ 25V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SOIC N

引脚图与功能

暂无FDS2582的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FDS2582的工作原理信息

替代产品

暂无FDS2582的替代产品信息

PDF资料

暂无FDS2582的PDF资料信息

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