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FDR842P

概述

MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):12V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:11A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 11A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5350pF @ 6V,功率 - 最大值:900mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SSOT，SuperSOT-8,供应商器件封装:8-SSOT