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FDP52N20

概述

MOSFET N-CH 200V 52A TO-220

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:管件,系列:UniFET™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:52A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:49 毫欧 @ 26A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):63nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2900pF @ 25V,功率 - 最大值:357W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220

引脚图与功能

暂无FDP52N20的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FDP52N20的工作原理信息

替代产品

暂无FDP52N20的替代产品信息

PDF资料

暂无FDP52N20的PDF资料信息

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