FDN537N技术参数_FDN537N资料_FDN537N引脚图

FDN537N

概述

MOSF N CH 30V 6.5A SSOT-3

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:6.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.4nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):465pF @ 15V,功率 - 最大值:600mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:SuperSOT-3