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FDMQ8203

概述

MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP

厂商

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:GreenBridge™ PowerTrench®,FET 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥),FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,80V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.4A,2.6A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):110 毫欧 @ 3A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):210pF @ 50V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:12-WDFN 裸露焊盘,供应商器件封装:*

引脚图与功能

暂无FDMQ8203的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FDMQ8203的工作原理信息

替代产品

暂无FDMQ8203的替代产品信息

PDF资料

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