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FDM606P

概述

MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET

厂商

参数

包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.8A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 6.8A,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2200pF @ 10V,功率 - 最大值:1.92W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-MLP,MicroFET™,供应商器件封装:8-MLP,MicroFET(3x2)

引脚图与功能

暂无FDM606P的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FDM606P的工作原理信息

替代产品

暂无FDM606P的替代产品信息

PDF资料

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