欢迎光临!1kic网专注于为电子元器件行业提供免费及更实惠的芯片ic交易网站。
[ 登录 ]
[ 注册 ]
|
会员中心
|
会员服务
IC库存
搜索
热门关键词:
LM358
TL431
ULN2003
OP07
STM32F103C8T6
首页
求购信息
非IC供求
电子知识
电子芯闻
免费信息
代理商名录
技术参数
IC图库
IC现货商城
当前位置:
1kic首页
>
IC技术参数
>
FDI8442的技术资料
搜索资料
FDI8442
概述
MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:管件,系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.9 毫欧 @ 80A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):235nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):12200pF @ 25V,功率 - 最大值:254W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA,供应商器件封装:TO-262
引脚图与功能
暂无FDI8442的引脚图与功能信息
工作原理
暂无FDI8442的工作原理信息
替代产品
暂无FDI8442的替代产品信息
PDF资料
暂无FDI8442的PDF资料信息
FDI8442推荐供应商
更多
深圳市烨鑫微电子有限公司
IC技术参数
更多
FS8205
FS8802
FS7UM5
FS80-C
FS8107
FS8108
FS7372
FS7145
FS7104
FS7140
关于1kic网
|
帮助中心
|
广告服务
|
粤ICP备14005348号
1kic网-首个免费IC网-电子元器件ic交易网-芯片集成电路代理商供应商查询