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FDI2532的技术资料
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FDI2532
概述
MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:管件,系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):150V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):79A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):16 毫欧 @ 33A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):107nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5870pF @ 25V,功率 - 最大值:310W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA,供应商器件封装:I2PAK
引脚图与功能
暂无FDI2532的引脚图与功能信息
工作原理
暂无FDI2532的工作原理信息
替代产品
暂无FDI2532的替代产品信息
PDF资料
暂无FDI2532的PDF资料信息
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