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FDG313N的技术资料
搜索资料
FDG313N
概述
MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):25V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):950mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.3nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 10V,功率 - 最大值:480mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363,供应商器件封装:SC-70-6
引脚图与功能
暂无FDG313N的引脚图与功能信息
工作原理
暂无FDG313N的工作原理信息
替代产品
暂无FDG313N的替代产品信息
PDF资料
暂无FDG313N的PDF资料信息
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