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FDG312P的技术资料
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FDG312P
概述
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):180 毫欧 @ 1.2A,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):330pF @ 10V,功率 - 最大值:480mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363,供应商器件封装:SC-70-6
引脚图与功能
暂无FDG312P的引脚图与功能信息
工作原理
暂无FDG312P的工作原理信息
替代产品
暂无FDG312P的替代产品信息
PDF资料
暂无FDG312P的PDF资料信息
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