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FDC8602

概述

MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:PowerTrench®,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 1.2A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):70pF @ 50V,功率 - 最大值:690mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6,供应商器件封装:6-SSOT