FDC6020C技术参数_FDC6020C资料_FDC6020C引脚图

FDC6020C

概述

MOSFET N/P-CHAN 20V COMPL 6SSOT

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:5.9A，4.2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 5.9A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):677pF @ 10V,功率 - 最大值:1.2W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-SSOT 扁平引线，SuperSOT™-6 FLMP,供应商器件封装:6-SSOT