欢迎光临!1kic网专注于为电子元器件行业提供免费及更实惠的芯片ic交易网站。

FDB8444

概述

MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB

厂商

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):70A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.5 毫欧 @ 70A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):128nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8035pF @ 25V,功率 - 最大值:167W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB,供应商器件封装:TO-263AB

引脚图与功能

暂无FDB8444的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FDB8444的工作原理信息

替代产品

暂无FDB8444的替代产品信息

PDF资料

暂无FDB8444的PDF资料信息

FDB8444推荐供应商 更多

1kic网-首个免费IC网-电子元器件ic交易网-芯片集成电路代理商供应商查询