FDB2670技术参数_FDB2670资料_FDB2670引脚图

FDB2670

概述

MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:19A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 10A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1320pF @ 100V,功率 - 最大值:93W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB,供应商器件封装:TO-263AB

引脚图与功能

暂无FDB2670的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FDB2670的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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