欢迎光临!1kic网专注于为电子元器件行业提供免费及更实惠的芯片ic交易网站。
[ 登录 ]
[ 注册 ]
|
会员中心
|
会员服务
IC库存
搜索
热门关键词:
LM358
TL431
ULN2003
OP07
STM32F103C8T6
首页
求购信息
非IC供求
电子知识
电子芯闻
免费信息
代理商名录
技术参数
IC图库
IC现货商城
当前位置:
1kic首页
>
IC技术参数
>
EPC2010的技术资料
搜索资料
EPC2010
概述
TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
厂商
EPC
参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:eGaN®,FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):25 毫欧 @ 6A,5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 3mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):480pF @ 100V,功率 - 最大值:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:7-SMD,凸引线,供应商器件封装:7-LGA(3.6x1.6)
引脚图与功能
暂无EPC2010的引脚图与功能信息
工作原理
暂无EPC2010的工作原理信息
替代产品
暂无EPC2010的替代产品信息
PDF资料
暂无EPC2010的PDF资料信息
EPC2010推荐供应商
更多
深圳市鹏骏达电子有限公司
深圳市中立信电子科技有限公司
IC技术参数
更多
ER503
ER504
ER505
ER506
ER5AB
ER5AF
ER5BB
ER5BF
ER5CB
ER5CF
关于1kic网
|
帮助中心
|
广告服务
|
粤ICP备14005348号
1kic网-首个免费IC网-电子元器件ic交易网-芯片集成电路代理商供应商查询