EPC1011技术参数_EPC1011资料_EPC1011引脚图

EPC1011

概述

TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

厂商

EPC

参数

包装:带卷 (TR),系列:eGaN®,FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):150V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:12A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 12A，5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 3mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.7nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):440pF @ 75V,功率 - 最大值:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:7-LGA,供应商器件封装:7-LGA（3.6x1.6）

引脚图与功能

暂无EPC1011的引脚图与功能信息

工作原理

暂无EPC1011的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

ERT2CF
ERT2DF
ERT2EF
ERT2GF
ERT2JF
ES6697
ES6688
ES6629
ES6628
ERT802