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EPC1009

概述

TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE

厂商

EPC

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:eGaN®,FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 6A,5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.2mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.4nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):196pF @ 30V,功率 - 最大值:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:5-LGA,供应商器件封装:5-LGA(1.7x1.1)

引脚图与功能

暂无EPC1009的引脚图与功能信息

工作原理

暂无EPC1009的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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