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EPC1001

概述

TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

厂商

EPC

参数

包装:带卷 (TR),系列:eGaN®,FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):25A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7 毫欧 @ 25A,5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.5nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):800pF @ 50V,功率 - 最大值:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:模具剖面(11 焊条),供应商器件封装:模具剖面(11 焊条)

引脚图与功能

暂无EPC1001的引脚图与功能信息

工作原理

暂无EPC1001的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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