CQY37N技术参数_CQY37N资料_CQY37N引脚图

CQY37N

DIODE IR EMITTER GAAS 1.8MM

Vishay Semiconductor Opto Division

包装:散装,系列:-,电流 - DC 正向 (If):100mA,不同 If 时的辐射强度 (Ie)（最小值）:2.2mW/sr @ 50mA,波长:950nm,电压 - 正向 (Vf)（典型值）:1.3V,视角:24°,方向:顶视图,安装类型:通孔,封装/外壳:径向，1.8mm（T-3/4）

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