包装:管件,系列:Z-FET™,FET 类型:SiCFET N 通道，碳化硅,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):1200V（1.2kV）,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:33A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 20A，20V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):90.8nC @ 20V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1915pF @ 800V,功率 - 最大值:150W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-247-3,供应商器件封装:TO-247-3

暂无CMF20120D的引脚图与功能信息

暂无CMF20120D的工作原理信息

暂无CMF20120D的替代产品信息

暂无CMF20120D的PDF资料信息