BTS110技术参数_BTS110资料_BTS110引脚图

BTS110

概述

MOSFET N-CH 100V 10A TO-220

厂商

Infineon Technologies

参数

包装:管件,系列:TEMPFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:10A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):600pF @ 25V,功率 - 最大值:40W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220AB

引脚图与功能

暂无BTS110的引脚图与功能信息

工作原理

暂无BTS110的工作原理信息

替代产品

暂无BTS110的替代产品信息

PDF资料

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