包装:*,系列:*,FET 类型:2 个 N 通道（半桥）,FET 功能:碳化硅 (SiC),漏源极电压 (Vdss):1200V（1.2kV）,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:120A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:-,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 22mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14000pF @ 10V,功率 - 最大值:780W,安装类型:*,封装/外壳:*,供应商器件封装:*

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