包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:OptiMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 3.7µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.6nC @ 2.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):180pF @ 10V,功率 - 最大值:500mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363,供应商器件封装:PG-SOT363-6

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