BD435G技术参数_BD435G资料_BD435G引脚图

BD435G

概述

TRANS NPN 32V 4A BIPO TO-225AA

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:散装,系列:-,晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4A,电压 - 集射极击穿（最大值）:32V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A,电流 - 集电极截止（最大值）:-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:85 @ 500mA，1V,功率 - 最大值:36W,频率 - 跃迁:3MHz,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3,供应商器件封装:TO225AA