包装:管件,系列:POWER MOS 8™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):600V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:49A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 33A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:5V @ 2.5mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):330nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13190pF @ 25V,功率 - 最大值:540W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC,供应商器件封装:ISOTOP®

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