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AOB442

概述

MOSFET N-CH 40V 21A TO263

厂商

参数

包装:带卷 (TR),系列:SDMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):21A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):90nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5600pF @ 20V,功率 - 最大值:3.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB,供应商器件封装:TO-263(D2Pak)

引脚图与功能

暂无AOB442的引脚图与功能信息

工作原理

暂无AOB442的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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