AO3435技术参数_AO3435资料_AO3435引脚图

AO3435

概述

MOSFET P CH 20V 2.9A SOT23

厂商

Alpha & Omega Semiconductor Inc

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:2.9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):745pF @ 10V,功率 - 最大值:1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23-3