AO3162技术参数_AO3162资料_AO3162引脚图

AO3162

概述

MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23

厂商

Alpha & Omega Semiconductor Inc

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):600V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:34mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 8µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):150nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6pF @ 25V,功率 - 最大值:1.39W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23