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6LN04SS-TL-H

概述

MOSFET N-CH 60V 0.2A 3SSFP

厂商

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:200mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:2.9 欧姆 @ 100mA，4V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:-,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1nC @ 4V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):26pF @ 20V,功率 - 最大值:150mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:3-SMD，扁平引线,供应商器件封装:3-SSFP

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

6EDP
6507
6EF1
6509
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662Y
6EF8
6630
6EG1
6629