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2SK3669(TE16L1,NQ)

概述

MOSFET N-CH 100V 10A PW-MOLD

厂商

Toshiba

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:10A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):480pF @ 10V,功率 - 最大值:20W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:PW-MOLD

引脚图与功能

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工作原理

暂无2SK3669(TE16L1,NQ)的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

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