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2SJ655

概述

MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML

厂商

参数

包装:散装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:12A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:136 毫欧 @ 6A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:-,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):41nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2090pF @ 20V,功率 - 最大值:2W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3 整包,供应商器件封装:TO-220ML