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2SJ652的技术资料
搜索资料
2SJ652
概述
MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML
厂商
ON Semiconductor
参数
包装:散装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):28A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):38 毫欧 @ 14A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4360pF @ 20V,功率 - 最大值:2W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3 整包,供应商器件封装:TO-220ML
引脚图与功能
暂无2SJ652的引脚图与功能信息
工作原理
暂无2SJ652的工作原理信息
替代产品
暂无2SJ652的替代产品信息
PDF资料
暂无2SJ652的PDF资料信息
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