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2SC2812N6-CPA-TB-E的技术资料
搜索资料
2SC2812N6-CPA-TB-E
概述
TRANS NPN BIPO 150MA 50V CP
厂商
ON Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 1mA,6V,功率 - 最大值:200mW,频率 - 跃迁:100MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:3-SMD,鸥翼型,供应商器件封装:3-CP
引脚图与功能
暂无2SC2812N6-CPA-TB-E的引脚图与功能信息
工作原理
暂无2SC2812N6-CPA-TB-E的工作原理信息
替代产品
暂无2SC2812N6-CPA-TB-E的替代产品信息
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