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2SA1179N6-CPA-TB-E

概述

TRANS PNP BIPO 150MA 50V CP

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:150mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:50V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA,电流 - 集电极截止（最大值）:-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:200 @ 1mA，6V,功率 - 最大值:200mW,频率 - 跃迁:180MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:*

引脚图与功能

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工作原理

暂无2SA1179N6-CPA-TB-E的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

22P10
20626
27M7C
20627
22R10
20629
27M4C
2062A
22R20
20628