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[ 求购]DMT3009LDT替代AON7934/ TDM3412

时    间:2017-11-09

数    量:100000

目标价:¥1.0000

品    牌:DIODES

详细信息

DMT3009LDT替代AON7934/ TDM3412(泰德),应用于无线充电方案,大量现货供应!

无线充电方案MOS管、IC、电容及替换方案


【无线充电】另外提供以下现货及备选方案的元器件供各位工程师选用:
无线充MOS管部分:
AO4822  30V/8.5A/19mΩ Dual-N沟道 SOIC-8封装 ; 【AOS/美国万代】
AO4803  -30V/-5A/46mΩ Dual-P沟道 SOIC-8封装; 【AOS/美国万代】
MI4822  30V/8A/23mΩ Dual-N沟道 SOIC-8封装 ; 【台湾瑞信半导体】
MI4813  -30V/-8.2A/28mΩ Dual-P沟道 SOIC-8封装; 【台湾瑞信半导体】
AM4910N  30V/10A/13.5mΩ Dual-N沟道 SOIC-8封装 ; 【Analogpower/美商亚柏】
AM4935P  -30V/-8A/21mΩ Dual-P沟道 SOIC-8封装; 【Analogpower/美商亚柏】
UM3214  30V/9A/12mΩ Dual-N沟道 SOIC-8封装 ; 【Unitpower/群祥】
UM3203  -30V/-6.5A/25mΩ Dual-P沟道 SOIC-8封装; 【Unitpower/群祥】
AON7934  30V/18A/7.7mΩ Dual-N沟道 DFN3*3封装; 【AOS/美国万代】
DMT3009LDT  30V/30A/11mΩ Dual-N沟道 DFN3*3封装; 【DIODES/美台半导体】
其中AON7934、DMT3009LDT可PIN-PIN替换泰德TDM3412 【劲芯微方案】
无线充IC部分:
RICHTEK/立锜驱动IC RT9612BZS SOP-8封装;
无线充村田电容部分:
GRM31C5C1H104JA01L,100NF 50V 1206 NPO;
GRM31M5C1H473J ,47NF 50V 1206 NPO ;
GRM31C5C1H683JA01L,68NF 50V 1206 NPO;


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徐亮
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