产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 2 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Dual Drain
下降时间: 32 ns
Pd-功率耗散: 90 W
上升时间: 9 ns
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: N-Channel
类型: MDmesh II Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 15 ns

单位重量: 330 mg 

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郑小姐

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