英特尔和美光科技透露了3D Xpoint记忆芯片，称它比Flash记忆芯片更快(速度提升1000倍)，能比DRAM芯片储存更多数据(但没DRAM快)，功耗比两者都低。3D Xpoint被认为是记忆芯片领域的一大突破，但也有研究人员质疑它们是在炒作。Flash芯片对现有的智能手机和PC已足够用了，但大数据、云计算以及高清视频游戏将会受益于更快的3D Xpoint芯片。英特尔和美光花了超过10年时间研究3D Xpoint技术，两家公司在美国犹他州投资建立了一座工厂去生产3D Xpoint芯片样品。

3D Xpoint采用了哪些新技术?

Intel 和 Micron 共同发布的这个新的“3D Xpoint(发音如 cross-point)”，本质上就是RRAM，2013年有报道创业公司Crossbar提出的RRAM，结构跟现在的3D XPoint很类似。至少很难得地，这个技术竟然能照着预计的时程推出，之前答应“2016 可以实用化”，目前看起来应该是没有问题的呢。

这颗新晶片利用了两个新的技术：一个是可以改变电阻的一种晶体，对这种晶体施加电压可以改变它的电阻值，并在电压消失后继续保存着。如果我们把不同的电阻值视为数据的 0 或 1，那测量电阻值就可以知道这个晶体存放的资料是什么了。第二个技术是称为“crosshatch”的电路结构，由垂直方向的多层细密电线交错而成，层与层之间连通上述的晶体。这种方式的资料储存是立体的，所以在密度上可以比普通的 NAND 高十倍，读写快千倍，而且也更耐久。这么一来，忆阻体可以有等同，或甚至超过 DRAM 的表现，而且还是永久储存，不会因断电而损失资料。说不定它可以在未来，让內存和存储的分野消失，CPU 直接去读写硬碟的资料!

工作原理示意图：大致就是通过纵横的字线位线之间的电阻值作为01二进制信息，绿色块的电阻用来储存信息，也就是memory cell，selector(灰色快)可以控制改变绿色块电阻，选择读或写。然而intel并没有公布3D XPoint 的核心问题，也就是Selector 和MemoryCell 的工作原理和制作材料，这应该是这个新器件的核心问题。

Intel 将先把这个技术应用在大数据上，特别是大量资料的即时分析。虽然据称 Xpoint 已经在量产中，但要来到消费者手上大概还是有一段距离的。