鳍式电晶体FinFET制程将成晶圆厂新的角力战场。为卡位16/14纳米市场商机，并建立10纳米发展优势，台积电、联电和格罗方德正倾力投资FinFET技术，并已将开战时刻设定于2014?2015年；同时也各自祭出供应链联合作战策略，期抗衡英特尔和三星等IDM的规模优势，让整个晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。

各大晶圆代工业者FinFET发展情况

鳍式电晶体(FinFET)技术可有效控管电晶体闸极漏电流问题，并提高电子移动率，因而能大幅提升晶片运算效能同时降低功耗，现已成为全球晶圆厂迈向下一个制程节点的唯一途径。一线大厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式，加速14或16纳米FinFET量产脚步，抢先圈地市场商机。

14nm 制程 finfet 芯片

其中，IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米后段金属导线(BEOL)制程的方式达成试量产目标；而台积电为提早至2015年跨入16纳米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。