概述：

CR5229 是内置高压功率 MOSFET 的电流模反激 PWM 控制芯片，适用于 18W 以内的离线式反激开关电源，具有高性能、低待机功耗、低成本的优点。为了保证芯片正常工作，CR5229 针对各种故障设计了一系列完善的具有自动恢复功能的保护措施，包括软启动、过温保护（OTP）、VDD 欠压锁定保护（UVLO） 过压保护、（OVP）及箝位、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）和图腾柱输出驱动高箝位等，特别对音频噪声和 FM 干扰进行了处理。芯片内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动技术可容易地获得良好的 EMI 性能。

特征：

内置 4ms 软启动以降低功率管开机尖峰电流

采用轻载降频设计，以提高效率和降低待机功耗

采用频率抖动以达到更好的 EMI 性能

SENCE 峰值电流检测输入端内置前沿消隐功能

无音频噪声工作模式

固定工作频率：50KHz

内置斜坡补偿

低的启动电流和工作电流

欠压锁定保护（UVLO）

过载保护(OLP)

过温保护（过温保护（OTP））

过压保护(OVP)

具有动态峰值限定功能，在全电压输入

范围内获得比较一致的最大输出功率

保护解除后自动恢复功能

3000V ESD

高压BiCMOS工艺

内置4A内置 650V MOSFET

DIP-8L绿色封装