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| FET 类型 | N 通道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 373pF @ 15V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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