SIR876ADP-T1-GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 49 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 62.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET， PowerPAK

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: SIR

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值: 54 S

下降时间: 8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 8 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 28 ns

典型接通延迟时间: 11 ns

零件号别名: SIR876ADP-GE3

单位重量: 506.600 mg