SUM110P06-07L-E3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 110 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 230 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 375 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: SUM

晶体管类型: 1 P-Channel

商标: Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值: 20 S

下降时间: 50 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 25 ns

工厂包装数量: 800

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 110 ns

典型接通延迟时间: 20 ns