型号：STW40N60M2

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 34 A

Rds On-漏源导通电阻: 88 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 57 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 250 W

配置: Single

封装: Tube

系列: STW40N60M2

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: STMicroelectronics

下降时间: 11 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 13.5 ns

工厂包装数量: 600

子类别: MOSFETs