SI2306BDS-T1-GE3 Si2306BDS 系列 N沟道 30 V 47 mOhm 0.75 W 表面贴装 Mosfet - TO-236

SI2306BDS-T1-GE3产品详细规格

标准包装 3，000

FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS） 30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.16A

Rds（最大）@ ID，VGS 47 mOhm @ 3.5A， 10V

VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 4.5nC @ 5V

输入电容（Ciss）@ Vds的 305pF @ 15V

功率 - 最大 750mW

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3TO-236

通道模式 Enhancement

最大连续漏极电流 3.16 A

RDS -于 47@10V mOhm

最大门源电压 ±20 V

典型导通延迟时间 7 ns

典型关闭延迟时间 14 ns

典型下降时间 6 ns

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

P（ TOT ） 0.75W

匹配代码 SI2306BDS

单位包 3000

标准的提前期 15 weeks

最小起订量 3000

极化 N-CHANNEL

无铅Defin RoHS-conform

我（D ） 4A

V（ DS ） 30V

R（ DS上） 0.038Ohm

FET特点 Logic Level Gate

封装 Tape & Reel (TR)

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.16A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

开态Rds（最大）@ Id ，V GS 47 mOhm @ 3.5A， 10V

FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

功率 - 最大 750mW

漏极至源极电压（Vdss） 30V

输入电容（Ciss ） @ VDS 305pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS 4.5nC @ 5V

封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 SI2306BDS-T1-GE3CT

工厂包装数量 3000

产品种类 MOSFET

晶体管极性 N-Channel

最低工作温度 - 55 C

配置 Single

源极击穿电压 +/- 20 V

连续漏极电流 3.16 A

安装风格 SMD/SMT

RDS（ON） 47 mOhms

功率耗散 750 mW

商品名 TrenchFET

封装/外壳 TO-236-3

零件号别名 SI2306BDS-GE3

上升时间 12 ns

最高工作温度 + 150 C

漏源击穿电压 30 V

RoHS RoHS Compliant

下降时间 12 ns

栅源电压（最大值） ?20 V

漏源导通电阻 0.047 ohm

工作温度范围 -55C to 150C

包装类型 TO-236

引脚数 3

极性 N

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏源导通电压 30 V

弧度硬化 No

Continuous Drain Current Id :4A

Drain Source Voltage Vds :30V

On Resistance Rds(on) :65mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :20V