SI2333DDS-T1-GE3 单 P沟道 12V 0.028Ω 35nC 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23

SI2333DDS-T1-GE3产品详细规格

标准包装 3，000

FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate， 1.5V Drive

漏极至源极电压（VDSS） 12V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 6A

Rds（最大）@ ID，VGS 28 mOhm @ 5A， 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 35nC @ 8V

输入电容（Ciss）@ Vds的 1275pF @ 6V

功率 - 最大 1.7W

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

动态目录 P-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-logic-level-gate-fets/16565?mpart=SI2333DDS-T1-GE3&vendor=742&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

单位包 3000

最小起订量 3000

FET特点 Logic Level Gate， 1.5V Drive

封装 Tape & Reel (TR)

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 5A (Ta)， 6A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA

漏极至源极电压（Vdss） 12V

标准包装 3，000

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

开态Rds（最大）@ Id ，V GS 28 mOhm @ 5A， 4.5V

FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide

功率 - 最大 1.7W

封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

输入电容（Ciss ） @ VDS 1275pF @ 6V

闸电荷（Qg ） @ VGS 35nC @ 8V

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 SI2333DDS-T1-GE3CT

晶体管极性 :P Channel

Continuous Drain Current Id :-6A

Drain Source Voltage Vds :-12V

On Resistance Rds(on) :0.023ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :-4.5V

Threshold Voltage Vgs :400mV

功耗 :1.7W

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :-

工作温度范围 :-55°C to +150°C

Weight (kg) 0.00012