IRLML6402TRPBF INFINEON MOSFET，P CH，-20V，-3.7A，SOT-23

IRLML6402TRPBF产品详细规格

安装类型 表面贴装

晶体管材料 Si

类别 功率 MOSFET

长度 3.04mm

典型输入电容值@Vds 633 pF@ 10 V

系列 HEXFET

通道模式 增强

高度 1.02mm

每片芯片元件数目 1

最大漏源电阻值 65 mΩ

最大栅阈值电压 1.2V

Board Level Components Y

最高工作温度 +150 °C

通道类型 P

最低工作温度 -55 °C

最大功率耗散 1.3 W

最大栅源电压 ±12 V

宽度 1.4mm

尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm

最小栅阈值电压 0.4V

最大漏源电压 20 V

典型接通延迟时间 350 ns

典型关断延迟时间 588 ns

封装类型 SOT-23

最大连续漏极电流 3.7 A

引脚数目 3

晶体管配置 单

典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 5 V

安装风格 SMD/SMT

Vgs - Gate-Source Voltage 12 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 20 V

晶体管极性 P-Channel

Qg - Gate Charge 8 nC

工厂包装数量 3000

品牌 Infineon Technologies

Id - Continuous Drain Current - 3.7 A

Pd - Power Dissipation 1.3 W

封装 Reel

长度 2.9 mm

通道数 1 Channel

Rds On - Drain-Source Resistance 65 mOhms

封装/外壳 SOT-23-3

晶体管类型 1 P-Channel