型号：TK10A60D

品牌：TOSHIBA

封装：TO220F

参数：

封装 / 箱体: TO-220SIS-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 10 A

Rds On-漏源导通电阻: 750 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 25 nC

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 45 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: DTMOSIV

高度: 15 mm

长度: 10 mm

系列: TK10A60D

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

宽度: 4.5 mm

商标: Toshiba

正向跨导 - 最小值: 1.5 S

下降时间: 15 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 22 ns

工厂包装数量: 2500