制造商: Infineon

产品种类: IGBT 模块

RoHS: 详细信息

产品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual Common Emitter Common Gate

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V

集电极—射极饱和电压: 2.6 V

在25 C的连续集电极电流: 1950 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

Pd-功率耗散: 9.6 kW

封装 / 箱体: IHM130

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

封装: Tray

高度: 38 mm

长度: 140 mm

技术: Si

宽度: 130 mm

商标: Infineon Technologies

安装风格: SMD/SMT

栅极/发射极最大电压: 20 V

产品类型: IGBT Modules

工厂包装数量: 2

子类别: IGBTs